（來源：上觀新聞）

1.1????. 電??容器長寬比的結(jié)構(gòu)????臨界點 為了在???保持數(shù)據(jù)??保存所需的最小????電容 (Cs?????) 的同時，?????縮小 ??????DRAM?????? 單元??的占用空間，電容??????器的高度必須大??????幅增加???♂??。

所以，在不考慮??虧損換市??場的市場競?爭策略的情況??下，不想越賣越????虧，最直接的???♂?????應(yīng)對方??案就是壓縮????低端機出貨量、????甚至將產(chǎn)品??線“砍掉???♂?”??。四巨頭的??路線圖 主導(dǎo)全????球DRAM??????市場的??“三大巨頭”—??—三星電?????????????子、SK??海力士和美光—????—正將生存押注??于在3D?? DRAM市場??占據(jù)領(lǐng)先地位??，為此投入??巨額研發(fā)預(yù)???♀?算，以滿足??人工智能基礎(chǔ)??設(shè)施的????激增需求??????。